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RUM002N02T2L

Rohm Semiconductor SOT-723 8000
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简述:MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

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RUM002N02T2L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):25pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装

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