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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 单 I开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
IPB09N03LAT Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N04S2-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N04S2L-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N04S3-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 5461 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N04S4-H2 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N06S2-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N06S2L-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N06S3-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N06S3-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 289 MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N06S3L-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N06S3L-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N08S2-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB100N08S2L-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB100N10S3-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 7675 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB107N20N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB107N20NA Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB108N15N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB10N03LB Infineon Technologies TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB10N03LBG Infineon Technologies TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB110N06LG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

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