型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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IPB09N03LAT | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 5461 | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB100N06S2-05 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB100N06S2L-05 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB100N06S3-03 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB100N06S3-04 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 289 | MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB100N06S3L-03 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB100N06S3L-04 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB100N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB100N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB100N10S3-05 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 7675 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB107N20N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB107N20NA | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB108N15N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB10N03LB | Infineon Technologies | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB10N03LBG | Infineon Technologies | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB110N06LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |