| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB107N20N3G |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPB107N20NA | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPB108N15N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB10N03LB | Infineon Technologies | TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB100N10S3-05 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 7675 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB100N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB100N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
