型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
IPB06N03LAT |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB06N03LB |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB06N03LBG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB070N06LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB072N15N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB072N15N3GE8187 |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB075N04LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB080N03LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
2000 |
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB080N06NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB081N06L3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
2000 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB083N10N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1874 |
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB085N06LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB08CN10NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB08CNE8NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB090N06N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1000 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB093N04LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB096N03LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
2000 |
MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB097N08N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1000 |
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB09N03LA |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB09N03LAG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
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