| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IPB090N06N3G |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB093N04LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB096N03LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPB097N08N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB08CNE8NG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB08CN10NG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB085N06LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
