型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
IPB038N12N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
3000 |
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB039N04LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB039N10N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB039N10N3GE8187 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB03N03LA |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB03N03LAG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB03N03LB |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB03N03LBG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB041N04NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB042N03LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
6000 |
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB042N10N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB042N10N3GE8187 |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB048N06LG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB049N06L3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1000 |
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB049NE7N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1000 |
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB04N03LA |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB04N03LAG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB04N03LAT |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
775 |
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB04N03LB |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB04N03LBG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |