型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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IPB038N12N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 3000 | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB039N04LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB039N10N3G | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB039N10N3GE8187 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB03N03LA | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB03N03LAG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB03N03LB | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB03N03LBG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB041N04NG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB042N03LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 6000 | MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB042N10N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB042N10N3GE8187 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB048N06LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB049N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB049NE7N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB04N03LA | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB04N03LAG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB04N03LAT | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 775 | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB04N03LB | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB04N03LBG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |