型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB04N03LAG |
Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPB04N03LAT | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 775 | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IPB04N03LB | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB04N03LBG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB04N03LA | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB049NE7N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB049N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |