| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB020N04NG | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 1000 | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB020NE7N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB021N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB022N04LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPB023N04NG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB023N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB025N08N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB025N10N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 5220 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB026N06N | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSF N CH 60V 25A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPB027N10N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPB029N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1957 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB029N06N3GE8187 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB030N08N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 1000 | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB031NE7N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB034N03LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 4000 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB034N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB034N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB035N08N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1808 | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB036N12N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 2000 | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB037N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 4000 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
