| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IPB035N08N3G |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1808 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB036N12N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 2000 | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB037N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 4000 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB038N12N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 3000 | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPB034N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB034N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPB034N03LG | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 4000 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
