型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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IPI60R125CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI60R165CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI60R190C6 | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 480 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPI60R199CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 466 | MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPI60R250CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI60R280C6 | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 500 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPI60R299CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI60R380C6 | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI60R385CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI60R520CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI60R600CP | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R110CFD | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R190C6 | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R190CFD | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R280C6 | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R310CFD | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R380C6 | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R420CFD | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 470 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPI65R600C6 | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI65R660CFD | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 488 | MOSFET N-CH 650V 6.0A TO262 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |