收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPI65R380C6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPI65R380C6

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPI65R380C6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPI65R420CFD Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 470 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI65R600C6 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI65R660CFD Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 488 MOSFET N-CH 650V 6.0A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI65R310CFD Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI65R280C6 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPI65R190CFD Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPI65R380C6参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 320µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):710pF @ 100V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别