型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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IPDH4N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPDH5N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPDH6N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF04N03LA | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF04N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF05N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF06N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF09N03LA | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF09N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF10N03LA | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF10N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPF13N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPFH6N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPI020N06N | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSF N CH 60V 29A TO262-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPI023NE7N3G | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 500 | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPI024N06N3G | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPI028N08N3G | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPI029N06N | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSF N CH 60V 24A TO262-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPI030N10N3G | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPI032N06N3G | Infineon Technologies | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |