收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPFH6N03LAG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPFH6N03LAG

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPFH6N03LAG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IP-FIR Altera IP FIR COMPILER ...
IPG20N06S2L-35 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IPG20N06S2L-50 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IP-FFT Altera IP FFT/IFFT ...
IPF13N03LAG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPF10N03LAG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPFH6N03LAG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2390pF @ 15V
功率 - 最大值:71W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别