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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 单 I开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
IPD06N03LBG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 1992 MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD075N03LG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 2500 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD079N06L3G Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD082N10N3G Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... 点击下载
IPD088N04LG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD088N06N3G Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 2500 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... 点击下载
IPD090N03LG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 2500 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD096N08N3G Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... 点击下载
IPD09N03LAG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD09N03LBG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD100N04S4-02 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD100N06S4-03 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... 点击下载
IPD105N03LG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 12500 MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD105N04LG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD10N03LA Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD10N03LAG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD110N12N3G Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... 点击下载
IPD122N10N3G Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 2500 MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... 点击下载
IPD127N06LG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... 点击下载
IPD12CN10NG Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... 点击下载

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