| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD088N06N3G |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD090N03LG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPD096N08N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD09N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD088N04LG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD082N10N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD079N06L3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
