| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099CPA | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB60R125C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 30A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R125CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 25A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R160C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R165CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R190C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 3000 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R199CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 16A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB60R250CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB60R280C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB60R299CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R380C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPB60R385CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 9A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R520CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R600C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R600CP | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB60R950C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB65R110CFD | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB65R190C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB65R190CFD | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB65R280C6 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
