型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB65R280C6 |
Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPB65R310CFD | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB65R380C6 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB65R420CFD | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB65R190CFD | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB65R190C6 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |