型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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IPB114N03LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB11N03LA | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB11N03LAG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB120N04S3-02 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 3000 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB120N04S4-01 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB120N04S4-02 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB120N06NG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB120N06S4-02 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB120N06S4-03 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB120N06S4-H1 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB123N10N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB12CN10NG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB12CNE8NG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB136N08N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB13N03LB | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB13N03LBG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 30A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB144N12N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB147N03LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB14N03LA | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB14N03LAG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |