型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB114N03LG |
Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPB11N03LA | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB11N03LAG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB120N04S3-02 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 3000 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPB110N06LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB10N03LBG | Infineon Technologies | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPB10N03LB | Infineon Technologies | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |