| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HAT2165H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2168H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2168N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2169H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 50A 5FLPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2169H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2170H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 45A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2170H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2171H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2171H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2172H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2172N | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2172N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2173H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2173H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2173N | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2173N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2174H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2174H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2175H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2183WP | Renesas Electronics America | 8-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
