收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HAT2168N-EL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HAT2168N-EL-E

Renesas Electronics America 8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与HAT2168N-EL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HAT2169H Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 40V 50A 5FLPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2169H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2170H Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 40V 45A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2168H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2167H-EL-E Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT2167H Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

HAT2168N-EL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1730pF @ 10V
功率 - 最大值:15W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别