型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4396DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 参考包装数量:2500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI4398DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI4398DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI4401BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 27500 | MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI4396DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 5000 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SI4390DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI4390DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |