| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN3030LSS-13 |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN3031LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN3033LDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3033LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN3030LFG-7 | Diodes Inc | * | MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3029LFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerVDFN | 3000 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
