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DMN3033LSD-13

Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMN3033LSD-13相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN3033LSN-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3050S-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3051L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3033LDM-7 Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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DMN3030LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN3033LSD-13参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 6.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:725pF @ 15V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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