| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN3029LFG-13 |
Diodes Inc | 8-PowerVDFN | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN3029LFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerVDFN | 3000 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN3030LFG-7 | Diodes Inc | * | MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3030LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3024SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3024LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN3024LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7500 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
