| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN3030LFG-7 |
Diodes Inc | * | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8 参考包装数量：2000 参考包装形式：* |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN3030LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3031LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN3033LDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3029LFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerVDFN | 3000 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN3029LFG-13 | Diodes Inc | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN3024SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
