收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > DMN3024LSD-13
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMN3024LSD-13

Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMN3024LSD-13相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN3024LSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3024SFG-7 Diodes Inc 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3029LFG-13 Diodes Inc 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3024LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 10000 MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3020LK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5463 MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN3018SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN3024LSD-13参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:12.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:608pF @ 15V
功率 - 最大:1.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别