| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN21D2UFB-7B |
Diodes Inc | 3-XFDFN | 10000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 参考包装数量：10000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN2215UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 8058 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN2230U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 19294 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2300U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2170U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN2114SN-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 10231 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2112SN-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
