型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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APTGT300SK120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 440A 1250W D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT300SK120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 420A 1380W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT300SK170D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1700V 530A 1470W D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT300SK170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1700V 400A 1660W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT300SK60D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | 10 | IGBT BUCK CHOPPER 600V 400A D3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT300SK60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 600V 430A 1150W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT300TL60G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT30A170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT30A170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT30A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT30DA170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 45A 210W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT30DA170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1700V 45A 210W SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT30DDA60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... | ||
APTGT30DSK60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... | ||
APTGT30H170T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT30H60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT30H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT30SK170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 45A 210W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT30SK170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1700V 45A 210W SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT30X60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |