型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT30DA170D1G |
Microsemi Power Products Group | D1 | 询价QQ: |
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简述:IGBT 1700V 45A 210W D1 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTGT30DA170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1700V 45A 210W SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT30DDA60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... | |
APTGT30DSK60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... | |
APTGT30A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT30A170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT30A170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |