收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT30DSK60T3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGT30DSK60T3G

Microsemi Power Products Group SP3
询价QQ:
简述:IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT30DSK60T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT30H170T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT30H60T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT30H60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT30DDA60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(...
APTGT30DA170T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT 1700V 45A 210W SP1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT30DA170D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 1700V 45A 210W D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...

APTGT30DSK60T3G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:双路降压斩波器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):1.6nF @ 25V
功率 - 最大:90W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别