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APTGT30H170T3G

Microsemi Power Products Group SP3
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
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与APTGT30H170T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGT30H170T3G参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):45A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):2.5nF @ 25V
功率 - 最大:210W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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