| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK0852DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK0853DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 3720 | MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK0854DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 5000 | MOSFET N-CH 80V LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK0855DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK0856DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK1051DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 5000 | MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK1052DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK1053DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK1054DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 100V LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK1055DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK1056DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 2500 | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJK1555DPA-00#J0 | Renesas Electronics America | 8-WDFN 裸露焊盘 | 2500 | MOSFET N-CH 150V W-PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RJK1557DPA-00#J0 | Renesas Electronics America | 8-WDFN 裸露焊盘 | 2500 | MOSFET N-CH 150V W-PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RJK2055DPA-00#J0 | Renesas Electronics America | 8-WDFN 裸露焊盘 | 2500 | MOSFET N-CH 200V W-PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RJK5033DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 3000 | MOSFET N-CH 500V 6A MP3A | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RJK6024DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 3000 | MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RJK6025DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 3000 | MOSFET N CH 600V 1A MP3A | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| RJP020N06T100 | Rohm Semiconductor | TO-243AA | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| RJU002N06T106 | Rohm Semiconductor | SC-70，SOT-323 | 6000 | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| RJU003N03T106 | Rohm Semiconductor | SC-70，SOT-323 | 39000 | MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
