| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MMFT960T1 | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| MMFT960T1G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| MMIX1F44N100Q3 | IXYS | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 | 39 | MOSFET N CH 1000V 30A | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| MMIX1F520N075T2 | IXYS | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 | 10 | MOSFET N CH 75V 500A | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| MMIX1T550N055T2 | IXYS | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 | MOSFET N-CH 55V 550A SMPD | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| MMSF3P02HDR2 | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| MMSF3P02HDR2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5408 | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| MMSF3P02HDR2SG | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| MMSF7P03HDR2 | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| MMSF7P03HDR2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| MPF960 | ON Semiconductor | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | MOSFET N-CH 60V 2A TO-92 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| MPF990 | ON Semiconductor | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | MOSFET N-CH 90V 2A TO-92 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| MTB23P06VT4 | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 23A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| MTB2P50ET4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+5600 | MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| MTB30P06VT4 | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| MTB30P06VT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| MTB50P03HDLG | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| MTB50P03HDLT4 | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| MTB50P03HDLT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800 | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| MTB75N05HDT4 | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
