| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD250N06N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 4543 | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD25CN10NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD25CNE8NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD25N06S2-40 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD25N06S4L-30 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD26N06S2L-35 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N03S4L-14 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 7500 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD30N06S2-23 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N06S2L-23 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N06S4L-23 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD30N10S3L-34 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 22500 | MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD320N20N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 9231 | MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
