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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 单 I开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
IPB14N03LAT Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB160N04S2-03 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB160N04S2L-03 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB160N04S3-H2 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 1000 MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB16CN10NG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB180N03S4L-H0 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 5000 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB180N04S4-00 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB180N04S4-01 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB180N04S4-H0 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB180N06S4-H1 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB200N15N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB200N25N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB22N03S4L-15 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB230N06L3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB25N06S3-25 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB25N06S3L-22 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB260N06N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB26CN10NG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

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