型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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IPB14N03LAT | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB160N04S2-03 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB160N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB160N04S3-H2 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | 1000 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB16CN10NG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB180N03S4L-01 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB180N03S4L-H0 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB180N04S3-02 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | 5000 | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB180N04S4-00 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB180N04S4-01 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB180N04S4-H0 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB180N06S4-H1 | Infineon Technologies | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB200N15N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPB200N25N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB22N03S4L-15 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB230N06L3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB25N06S3-25 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB25N06S3L-22 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
IPB260N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
IPB26CN10NG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |