型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
IPB14N03LAT |
Infineon Technologies
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
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MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
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IPB160N04S2-03 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB160N04S2L-03 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB160N04S3-H2 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
1000 |
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB16CN10NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB180N03S4L-01 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB180N03S4L-H0 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB180N04S3-02 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
5000 |
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB180N04S4-00 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB180N04S4-01 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB180N04S4-H0 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB180N06S4-H1 |
Infineon Technologies
|
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
|
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB200N15N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
1000 |
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB200N25N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB22N03S4L-15 |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB230N06L3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB25N06S3-25 |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB25N06S3L-22 |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源... |
 |
IPB260N06N3G |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
 |
IPB26CN10NG |
Infineon Technologies
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压... |
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