收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ZXMN3A06DN8TC
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZXMN3A06DN8TC

Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXMN3A06DN8TC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXMN3A06N8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ZXMN3A14FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18549 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMN3AM832TA Diodes Inc 8-MLP 3000 MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
ZXMN3A06DN8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
ZXMN3A05N8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXMN3A04KTC Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZXMN3A06DN8TC参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:17.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:796pF @ 25V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别