| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN3A14FTA |
Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 18549 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN3AM832TA | Diodes Inc | 8-MLP | 3000 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN3AMCTA | Diodes Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN3B01FTA | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 24000 | MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN3A06N8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMN3A06DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3A06DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
