| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ZXMN3A04KTC |
Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ZXMN3A05N8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| ZXMN3A06DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3A06DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3A04DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3A04DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN3A03E6TC | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
