| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ZXMD63C03XTA |
Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 1000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ZXMD63C03XTC | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMD63N02XTA | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 12000 | MOSFET 2N-CH 20V 2.4A 8-MSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMD63N02XTC | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMD63C02XTC | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 20V 8MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMD63C02XTA | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 3000 | MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| ZXMC6A09DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2732 | MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
