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STS4DNF60L

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 31044
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简述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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STS4DNF60L参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:55 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1030pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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