| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
STS4DNF30L |
STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8445 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CHAN DUAL 30V 4A 8-SOIC 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| STS4DNF60 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 31044 | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| STS4DNFS30 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 980 | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... |
| STS4C3F60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| STS3DPF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS3DNE60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
