| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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STS4C3F60L |
STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| STS4DNF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8445 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| STS4DNF60 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 31044 | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| STS3DPF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS3DNE60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS3C2F100 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
