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SIR662DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8
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简述:MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SIR662DP-T1-GE3参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):96nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4390pF @ 30V
功率 - 最大值:104W
安装类型:表面贴装

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