型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIR-568ST3F |
Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | 711 | 询价QQ: |
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简述:EMITTER IR 850NM T1 3/4 参考包装数量:1000 参考包装形式:散装 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SIR-56ST3FF | Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | EMITTER IR 950NM 5MM | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:5.... | |
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SIR-563ST3FM | Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | 3592 | EMITTER IR 940NM 5MM | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:9m... |
SIR-505STA47F | Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | EMITTER IR 950NM T1 3/4 | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:5.... | |
SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |