型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIR800DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR804DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 5310 | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR812DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2821 | MOSFET N-CH 30V SO-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SIR788DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 30V 60A SO-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电... | |
SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |