| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIR788DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 60A SO-8 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 20V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIR804DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 5310 | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SIR-56ST3FF | Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | EMITTER IR 950NM 5MM | 电流 - DC 正向(If)：100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流：5.... |
