收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > SGR6N60UFTM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SGR6N60UFTM

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:IGBT ULTRA FAST 600V 3A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SGR6N60UFTM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SGR-8002DB-PCB EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) 0增值物件 OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V 0E 类型:由 Digi-Key 编程(请在网站订购单中输入您需要的频率) 可用频率范...
SGR-8002DB-PCC EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) 0增值物件 OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V 0E 类型:由 Digi-Key 编程(请在网站订购单中输入您需要的频率) 可用频率范...
SGR-8002DB-PCM EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) 0增值物件 OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V 0E 类型:由 Digi-Key 编程(请在网站订购单中输入您需要的频率) 可用频率范...
SGR6N60UFTF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT ULTRA FAST 600V 3A DPAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGR2N60UFDTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGR2N60UFDTF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

SGR6N60UFTM参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.6V @ 15V,3A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A
功率 - 最大:30W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别