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SGR2N60UFDTM

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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SGR2N60UFDTM参数资料

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IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.6V @ 15V,1.2A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):2.4A
功率 - 最大:25W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

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