型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
---|---|---|---|---|---|
SGR2N60UFDTF |
Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 询价QQ: |
||
简述:IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK 参考包装数量:2000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
---|---|---|---|---|---|
SGR2N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic... | |
SGR6N60UFTF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IGBT ULTRA FAST 600V 3A DPAK | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic... | |
SGR6N60UFTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IGBT ULTRA FAST 600V 3A DPAK | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic... | |
SGR20N40LTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IGBT TRENCH 400V 150A DPAK | IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, I... | |
SGR20N40LTF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IGBT TRENCH 400V 150A DPAK | IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, I... | |
SGR15N40LTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IGBT TRENCH 400V 130A DPAK | IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, I... |